RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3025
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link