RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3437
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link