RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
50
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2326
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link