RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
80
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
80
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1775
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link