RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
55
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2239
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link