RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
52
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2893
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link