RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
44
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1660
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link