RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2548
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link