RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
50
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2535
2512
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link