RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2821
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link