RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2627
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link