RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3113
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link