RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
59
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1954
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link