RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3890
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link