RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3401
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link