RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
65
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2028
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link