RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3437
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link