RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
89
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
89
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1571
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link