RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
65
Wokół strony -282% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3847
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link