RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2946
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link