RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3409
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link