RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3337
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link