RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
67
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1850
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link