RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
66
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3778
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link