RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
66
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3722
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link