RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3987
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link