RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1860
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link