RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
81
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
81
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
1651
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link