RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
66
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2306
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link