RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3106
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link