RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3414
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link