RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
91
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.1
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.3
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
91
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1214
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link