RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
59
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2362
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link