RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2594
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link