RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2322
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link