RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
59
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
47
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2875
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link