RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
62
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
3527
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link