RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2971
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link