RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3386
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link