RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
4506
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link