RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2312
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link