RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3147
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ81UG8BAS0-DJ-F 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link