RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
49
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8,883.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
49
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2331
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link