Porównanie pamięci RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 20.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,303.7 17.2

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

18 117

Wokół strony -550% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

784 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns