RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
117
Wokół strony -409% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
3004
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link