RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
68
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3529
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link