RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
63
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2808
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link