RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2333
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
AMD R748G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link