RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
3169
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link