RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
3938
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link